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車規(guī)級SIC碳化硅芯片燒結(jié)銀特點(diǎn)
碳化硅MOSFET模塊主要是為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而推出的，在生產(chǎn)工藝方面均采用的是AS9385銀燒結(jié)技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)是以銀作為媒介將芯片連接起來，該技術(shù)目前在碳化硅模塊封裝中應(yīng)用較為廣泛。
與傳統(tǒng)的錫焊相比，銀的熔點(diǎn)能達(dá)到961℃，錫的熔點(diǎn)只有230攝氏度左右，當(dāng)碳化硅模塊工作溫度高于200攝氏度時(shí)，使用錫焊在連接層處會出現(xiàn)典型的疲勞效應(yīng)。由于銀具有優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電特性，使用銀燒結(jié)技術(shù)不僅能夠提高了模塊的可靠性、工作結(jié)溫，還能降低熱阻和寄生電感，進(jìn)而提升整車的電能效率。
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